仕様ドライバ数:2●動作供給電圧 Min:10 V●動作供給電圧 Max:20 V●トポロジー:ハーフブリッジ●実装タイプ:表面実装●ピーク出力電流:0.35A●出力数:2●極性:反転, 非反転●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:8●ブリッジタイプ:ハーフブリッジ●入力ロジック互換性:CMOS, LSTTL●高/低サイド依存性:シンクロナス●幅:4mm●MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハーフブリッジ、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハーフブリッジ構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。
RoHS指令(10物質対応)対応