仕様トランジスタタイプ:NPN 、 最大DCコレクタ電流:80 mA 、 最大コレクタ- エミッタ間電圧:6 V 、 パッケージタイプ:TSLP 、 実装タイプ:表面実装 、 最大パワー消費:380 mW 、 最小DC電流ゲイン:90 、 トランジスタ構成:シングル 、 最大コレクタ-ベース間電圧:15 V 、 最大エミッタ-ベース間電圧:2 V 、 最大動作周波数:14 GHz 、 ピン数:3 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 RFバイポーラトランジスタ、Infineon