仕様トランジスタタイプ:NPN●1チップ当たりのエレメント数:1●最大連続コレクタ電流:100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧:50 V●標準入力抵抗:4.7 kΩ●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOT-23●ピン数:3●最小DC電流ゲイン:70●最大パワー消費:200 mW●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧:0.3 V●最大エミッタ-ベース間電圧:5 V●標準抵抗比:0.1●幅:1.3mm●デュアル抵抗内蔵デジタルトランジスタ、Infineon. Infineonのバイポーラジャンクショントランジスタ製品です。コンポーネントを追加せずにデジタルソースからデバイスを直接駆動できる内蔵抵抗器を搭載しています。 デュアル抵抗器デバイスには、直列入力抵抗器1つと、トランジスタベースとエミッタの間に接続された抵抗器が1つ付いています。