内容量1リール(5000個)
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:71 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:16.6 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2.4V 、 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:TDSON 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 最大パワー消費:114 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
注文コード49243889
品番BSC123N10LSGATMA1