内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：120 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.8 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：4V 、 最低ゲートしきい値電圧：2V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：3 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：188 W 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 Infineon OptiMOS(TM) T2パワーMOSFET. Infineonの新しいOptiMOS(TM) -T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。 この新しいOptiMOS(TM) -T2製品ファミリは、既存のOptiMOS(TM)-T及びOptiMOS(TM)の拡張ファミリです。 OptiMOS(TM)製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。Nチャンネル - 強化モード AEC認定 MSL1、最大260 ℃ピークのリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(RoHS対応)
注文コード49246393
品番IPB120N06S402ATMA2
