内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:120 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:3.2 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOS(TM)ET●最大パワー消費:188 W●標準ターンオフ遅延時間:62 ns●Infineon OptiMOS(TM)3個のパワーMOS(TM)ET、60 80 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOS(TM)ET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
注文コード49246454
品番IPB029N06N3GATMA1