内容量1リール(3000個)
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:2.3 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:82 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:0.75V 最低ゲートしきい値電圧:0.3V 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 、 パッケージタイプ:SOT-23 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:小信号 最大パワー消費:500 mW 動作温度 Min:-55 、 Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOS(TM)ETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOS(TM)ETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS(TM)製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
注文コード49258853
品番BSS806NEH6327XTSA1