Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET

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内容量1リール(3000個) 仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:2.3 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:82 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:0.75V 最低ゲートしきい値電圧:0.3V 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 、 パッケージタイプ:SOT-23 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:小信号 最大パワー消費:500 mW 動作温度 Min:-55 、 Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOS(TM)ETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOS(TM)ETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS(TM)製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。 注文コード49258853 品番BSS806NEH6327XTSA1
6月22日より値下げいたしました。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥41,778
販売価格(税別)
37,980
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仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:2.3 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:82 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:0.75V 最低ゲートしきい値電圧:0.3V 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 、 パッケージタイプ:SOT-23 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:小信号 最大パワー消費:500 mW 動作温度 Min:-55 、 Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOS(TM)ETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOS(TM)ETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS(TM)製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。 RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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