内容量1リール(800個)
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:12 A●最大ドレイン-ソース間電圧:55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:175 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:45 W●1チップ当たりのエレメント数:1●PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49260357
品番IRF9Z24NSTRLPBF