Infineon Pチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(2500個) 仕様チャンネルタイプ:P 最大連続ドレイン電流:50 、 最大ドレイン-ソース間電圧:40 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:12.6 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:2.2V 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 、 パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費:58 、 動作温度 Min:-55 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOS(TM)ET. Infineon OptiMOS(TM)PチャンネルパワーMOS(TM)ETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。. 強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 +175 ℃の温度範囲 注文コード49260908 品番IPD50P04P413ATMA1
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥197,780
販売価格(税別)
179,800
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仕様チャンネルタイプ:P 最大連続ドレイン電流:50 、 最大ドレイン-ソース間電圧:40 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:12.6 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:2.2V 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 、 パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費:58 、 動作温度 Min:-55 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOS(TM)ET. Infineon OptiMOS(TM)PチャンネルパワーMOS(TM)ETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。. 強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 +175 ℃の温度範囲

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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