製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon PチャンネルパワーMOSFET

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内容量1袋(50個) 仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：9.7 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：400 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：42 W●標準ターンオン遅延時間：11 ns●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応注文コード49261303 品番SPD09P06PLGBTMA1

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥6,818

販売価格(税別)

￥6,198

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仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：9.7 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：400 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：42 W●標準ターンオン遅延時間：11 ns●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応

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3線式用ひずみゲージ端子 T-F3B 共和電業(KYOWA) 税込￥3,078 ￥2,798

3線式用ひずみゲージ端子シールタイプ T-F13B 共和電業(KYOWA) 税込￥3,518 ￥3,198

2線式用ひずみゲージ端子 T-F2B 共和電業(KYOWA) 税込￥2,748 ￥2,498

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2線式平行ビニル線100m 共和電業(KYOWA) 税込￥4,288 ￥3,898

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3線式高温用リード線30m 共和電業(KYOWA) 税込￥47,278 ￥42,980

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よくあるご質問(FAQ)

質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）