内容量1リール(3000個)
仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:1.18 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:280 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:0.6V 、 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V 、 パッケージタイプ:SOT-23 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:3 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:小信号 、 最大パワー消費:500 mW 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS(TM) PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
注文コード49261443
品番BSS215PH6327XTSA1