BSP170PH6327XTSA1 Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON 49261538

Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET

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内容量1リール(1000個)仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:1.9 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4V 、 最低ゲートしきい値電圧:2.1V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOT-223 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:3+Tab 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:小信号 、 最大パワー消費:1.8 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応注文コード49261538品番BSP170PH6327XTSA1
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参考基準価格(税別)オープン
仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:1.9 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4V 、 最低ゲートしきい値電圧:2.1V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOT-223 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:3+Tab 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:小信号 、 最大パワー消費:1.8 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
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よくあるご質問(FAQ)

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製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
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お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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