内容量1袋(25個)仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:11.7 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:13 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2.6V 、 最低ゲートしきい値電圧:1.4V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V 、 パッケージタイプ:DSO 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:小信号 、 最大パワー消費:2.36 W 、 標準入力キャパシタンス @ Vds:2650 pF @ -25 V 、 Infineon OptiMOS?P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS ? PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。. 強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS? Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲注文コード49261556品番BSO130P03SHXUMA1