製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET

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内容量1リール(3000個) 仕様チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：310 mA 、最大ドレイン-ソース間電圧：20 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：2.1 Ω 、最大ゲートしきい値電圧：1.2V 、最低ゲートしきい値電圧：0.6V 、最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V 、パッケージタイプ：SOT-323 (SC-70) 、実装タイプ：表面実装、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：小信号、最大パワー消費：250 mW 、寸法：2 x 1.25 x 0.8mm 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS(TM) PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。強化モードアバランシェ定格スイッチングロスと導電損失が低い無鉛めっき、RoHS準拠標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲注文コード49261608 品番BSS223PWH6327XTSA1

6月22日より値下げいたしました。

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥20,878

販売価格(税別)

￥18,980

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仕様チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：310 mA 、最大ドレイン-ソース間電圧：20 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：2.1 Ω 、最大ゲートしきい値電圧：1.2V 、最低ゲートしきい値電圧：0.6V 、最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V 、パッケージタイプ：SOT-323 (SC-70) 、実装タイプ：表面実装、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：小信号、最大パワー消費：250 mW 、寸法：2 x 1.25 x 0.8mm 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS(TM) PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。強化モードアバランシェ定格スイッチングロスと導電損失が低い無鉛めっき、RoHS準拠標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲 RoHS指令(10物質対応)対応

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

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2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）