IDH05G120C5XKSA1 Infineon ショットキーバリアダイオード INFINEON 49262186

Infineon ショットキーバリアダイオード

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内容量1個 仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 ピーク逆繰返し電圧:1200V 、 実装タイプ:スルーホール 、 パッケージタイプ:TO-220 、 ダイオードテクノロジー:SiCショットキー 、 ピン数:2+Tab 、 最大順方向降下電圧:2.6V 、 長さ:10.2mm 、 幅:4.5mm 、 高さ:15.95mm 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 thinQ! シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード、Infineon. Infineon thinQ!(TM)第5世代は、SiCショットキーバリアダイオードに新しい薄型ウエハーテクノロジーを採用し、熱特性を改良しています。SiCショットキーダイオードデバイスは、より優れた効率レベルを実現する高い破壊電界強度や熱伝導性など、高電圧パワー半導体向けの機能を備えています。この最新世代は、通信用SMPS、ハイエンドサーバー、UPSシステム、モータドライブ、ソーラーインバータ、PCシルバーボックス、照明用途などに適しています。EMIの軽減 注文コード49262186 品番IDH05G120C5XKSA1
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仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 ピーク逆繰返し電圧:1200V 、 実装タイプ:スルーホール 、 パッケージタイプ:TO-220 、 ダイオードテクノロジー:SiCショットキー 、 ピン数:2+Tab 、 最大順方向降下電圧:2.6V 、 長さ:10.2mm 、 幅:4.5mm 、 高さ:15.95mm 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 thinQ! シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード、Infineon. Infineon thinQ!(TM)第5世代は、SiCショットキーバリアダイオードに新しい薄型ウエハーテクノロジーを採用し、熱特性を改良しています。SiCショットキーダイオードデバイスは、より優れた効率レベルを実現する高い破壊電界強度や熱伝導性など、高電圧パワー半導体向けの機能を備えています。この最新世代は、通信用SMPS、ハイエンドサーバー、UPSシステム、モータドライブ、ソーラーインバータ、PCシルバーボックス、照明用途などに適しています。EMIの軽減

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よくあるご質問(FAQ)

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製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
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https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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