製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon ショットキーバリアダイオード

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内容量1個仕様ダイオード構成：シングル、1チップ当たりのエレメント数：1、ピーク逆繰返し電圧：1200V、実装タイプ：スルーホール、パッケージタイプ：TO-220、ダイオードテクノロジー：SiCショットキー、ピン数：2+Tab、最大順方向降下電圧：2.6V、長さ：10.2mm、幅：4.5mm、高さ：15.95mm、ピーク非繰返し順方向サージ電流：99A、thinQ! シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード、Infineon. Infineon thinQ!(TM)第5世代は、SiCショットキーバリアダイオードに新しい薄型ウエハーテクノロジーを採用し、熱特性を改良しています。SiCショットキーダイオードデバイスは、より優れた効率レベルを実現する高い破壊電界強度や熱伝導性など、高電圧パワー半導体向けの機能を備えています。この最新世代は、通信用SMPS、ハイエンドサーバー、UPSシステム、モータドライブ、ソーラーインバータ、PCシルバーボックス、照明用途などに適しています。EMIの軽減注文コード49262299 品番IDH10G120C5XKSA1

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仕様ダイオード構成：シングル、1チップ当たりのエレメント数：1、ピーク逆繰返し電圧：1200V、実装タイプ：スルーホール、パッケージタイプ：TO-220、ダイオードテクノロジー：SiCショットキー、ピン数：2+Tab、最大順方向降下電圧：2.6V、長さ：10.2mm、幅：4.5mm、高さ：15.95mm、ピーク非繰返し順方向サージ電流：99A、thinQ! シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード、Infineon. Infineon thinQ!(TM)第5世代は、SiCショットキーバリアダイオードに新しい薄型ウエハーテクノロジーを採用し、熱特性を改良しています。SiCショットキーダイオードデバイスは、より優れた効率レベルを実現する高い破壊電界強度や熱伝導性など、高電圧パワー半導体向けの機能を備えています。この最新世代は、通信用SMPS、ハイエンドサーバー、UPSシステム、モータドライブ、ソーラーインバータ、PCシルバーボックス、照明用途などに適しています。EMIの軽減 RoHS指令(10物質対応)対応

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

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1：SDS(MSDS)
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