仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:12 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:18.3 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2.55V 、 最低ゲートしきい値電圧:1.65V 、 最大ゲート-ソース間電圧:±20 V 、 パッケージタイプ:SO 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2 W 、 動作温度 Min:-55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応