仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:20 A、最大ドレイン-ソース間電圧:60 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:0.046 Ω、最大ゲートしきい値電圧:2.2V、最低ゲートしきい値電圧:1.2V、最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V、パッケージタイプ:TDSON、実装タイプ:表面実装、ピン数:8、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:33 W、シリーズ:OptiMOS、Infineon OptiMOS(TM)デュアルパワーMOSFET