仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:20 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:15.5 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2.2V 、 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V 、 パッケージタイプ:TDSON 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:41 W 、 動作温度 Max:+175 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM) T2パワーMOSFET. Infineonの新しいOptiMOS(TM)-T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。 この新しいOptiMOS(TM)-T2製品ファミリは、既存のOptiMOS(TM)-T及びOptiMOS(TM)の拡張ファミリです。 OptiMOS(TM)製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。 Nチャンネル - 強化モード AEC認定 MSL1、最大260 ℃ピークのリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(RoHS対応)