仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:150 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:絶縁型●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●長さ:5mm●デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。