仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:40 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:7 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2V 、 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:+20 V 、 パッケージタイプ:TISON 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2.5 W 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 Infineon OptiMOS?デュアルパワーMOSFET