仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:7.8 A、8.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:21.3 mΩ, 29.3 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.25V●最低ゲートしきい値電圧:1.35V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●順方向トランスコンダクタンス:15S●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。