仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:8.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:23 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●標準ゲートチャージ @ Vgs:11 nC @ 15 V●デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
RoHS指令(10物質対応)対応