Infineon デュアル Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(4000個) 注文コード49263543 品番IRL6372TRPBF
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥219,780
販売価格(税別)
199,800
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仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:8.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:23 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●標準ゲートチャージ @ Vgs:11 nC @ 15 V●デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。 RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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