仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:9.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:62 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:PQFN●実装タイプ:表面実装●ピン数:6●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:6.6 W●寸法:2.1 x 2.1 x 0.95mm●NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応