内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:12 A、最大ドレイン-ソース間電圧:500 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:500 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:5.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V、パッケージタイプ:TO-220、実装タイプ:スルーホール、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:200000 mW、幅:4.83mm、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
注文コード49301386
品番IXFP12N50P