内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:120 A、最大ドレイン-ソース間電圧:200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:22 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:5V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:TO-247、実装タイプ:スルーホール、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:714000 mW、トランジスタ素材:Si、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
注文コード49301474
品番IXFH120N20P