内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:22 A●最大ドレイン-ソース間電圧:1000 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:600 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:5.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:SOT-227B●実装タイプ:パネルマウント●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:700000 mW●標準ターンオフ遅延時間:80 ns●NチャンネルパワーMOSFET、IXYSリニアシリーズ. NチャンネルパワーMOSFETは、リニア動作に特化した設計になっています。このデバイスは、順方向バイアス安全動作領域(FBSOA)の拡張によって耐久性及び信頼性が高まっています。
注文コード49302059
品番IXTN22N100L