内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:26 A、最大ドレイン-ソース間電圧:1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:460 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:6.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V、パッケージタイプ:TO-264、実装タイプ:スルーホール、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:960 W、標準ターンオン遅延時間:56 ns、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
注文コード49302226
品番IXFK26N120P