内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:27 A、最大ドレイン-ソース間電圧:800 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:320 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:4.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:TO-264AA、実装タイプ:スルーホール、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:500 W、長さ:19.96mm、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Qシリーズ. NチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
注文コード49302269
品番IXFK27N80Q