内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:310 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:150 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:4 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:5V 、 最低ゲートしきい値電圧:2.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOT-227 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:4 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:1.07 kW 、 動作温度 Max:+175 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM)GigaMOS(TM)シリーズ
注文コード49302366
品番IXFN360N15T2