内容量1セット(10個)
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:310 A、最大ドレイン-ソース間電圧:150 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:4 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:5V、最低ゲートしきい値電圧:2.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:SOT-227、実装タイプ:表面実装、ピン数:4、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:1.07 kW、標準ターンオン遅延時間:50ns、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM)GigaMOS(TM)シリーズ
注文コード49302375
品番IXFN360N15T2