内容量1セット(10個)
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:420 、 最大ドレイン-ソース間電圧:100 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:2.3 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:5V 最低ゲートしきい値電圧:2.5V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 、 パッケージタイプ:SOT-227 実装タイプ:表面実装 ピン数:4 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:1.07 kW 動作温度 Max:+175 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) GigaMOS(TM)シリーズ
注文コード49302786
品番IXFN420N10T