内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:600 A、最大ドレイン-ソース間電圧:40 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:1.3 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:SMPD、実装タイプ:表面実装、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:830 W、標準入力キャパシタンス @ Vds:40000 pF @ 25 V、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM)GigaMOS(TM)シリーズ
注文コード49303215
品番MMIX1T600N04T2