内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:62 A、最大ドレイン-ソース間電圧:150 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:40 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:5.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:TO-220、実装タイプ:スルーホール、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:350 W、標準入力キャパシタンス @ Vds:2250 pF @ 25 V、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
注文コード49303258
品番IXTP62N15P