仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:60 A、最大ドレイン-ソース間電圧:1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:4V、最低ゲートしきい値電圧:2V、最大ゲート-ソース間電圧:-5 V, +20 V、パッケージタイプ:TO-247、実装タイプ:スルーホール、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:330 W、標準ターンオフ遅延時間:26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。 これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。 ; 強化モードNチャンネルSiC技術 ; 高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ; 複数のデバイスを簡単に接続して駆動 ; 高速スイッチング、低いオン状態抵抗 ; 抗ラッチアップ動作
RoHS指令(10物質対応)対応