仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:600 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:3000 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:0.95V 、 最低ゲートしきい値電圧:0.45V 、 最大ゲート-ソース間電圧:8 V 、 パッケージタイプ:DFN1010B-6, SOT1216 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:トレンチMOSFET 、 最大パワー消費:4025 mW 、 動作温度 Min:-55 ℃