内容量1袋(20個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:850 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:500 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:830 mW●トランジスタ素材:Si●NチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia
注文コード49658106
品番BSH114,215