仕様サイズ：4インチシリコンウェハ 直径(mm)：100.0±0.2 ウェハー厚(μm)：525±25 製造方法：CZ法 導電型：P型 面方位：100 OF方位：110 抵抗値(Ω・cm)：≦0.005 OF長(mm)：32.5±2.5 面状態：ミラー/エッチド パーティクル：≧0.3μm，≦20個 TTV(μm)：≦25 数量：1枚 ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません 1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し
アズワン品番65-3736-60
