仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN， P
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)340510
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)410
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成絶縁型
最大パワー消費960 mW
