仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)200
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成絶縁型
