仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:1.9 A
幅(mm)1.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55