仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:55 nC @ 10 V
高さ(mm)9.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)320000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)250
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30
トランジスタ構成シングル