仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.65V●最大連続ドレイン電流：500 mA
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
特性強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-363
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)300
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)25
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)770
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成絶縁型
最大動作温度(℃)150
最小動作温度(℃)-55
