仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：18 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)54
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
