仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：4.5 A高さ(mm)6.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージIPAK (TO-251)実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)52チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)900最大ゲート-ソース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル
