仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：0.4583333333シリーズSuperFET IIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)35.7材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)340最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
