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FDMB3800N onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDMB3800N onsemi パッケージWDFN 1チップ当たりのエレメント数2 寸法3×1.9×0.75mm 1箱(10個) 68199479

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDMB3800N

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内容量1箱(10個) 注文コード68199479 品番FDMB3800N

11月1日より値下げいたしました。

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥1,758

販売価格(税別)

￥1,598

仕様

これらの N チャンネルロジックレベル MOSFET は、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産され、特にオン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧及びバッテリ駆動用途に最適です。最大 rDS ( on )
4.3 A 高速スイッチング速度低ゲート電荷量超低 rDS ( on )向けの高性能トレンチテクノロジー高電力及び高電流処理能力用

寸法(mm)3×1.9×0.75 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)対応パッケージWDFN 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 最大パワー消費(W)1.6

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