仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
長さ(mm)5
高さ(mm)1.5
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.6
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)0.25
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成絶縁型
