onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装パッケージSOT-363 6 ピン

Name: onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン シリーズPowerTrench 最大パワー消費300360mW 絶縁型
Brand: onsemi
SKU: 68200818
Price: 2748 JPY
Availability: InStock

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内容量1箱(25個) 注文コード68200818 品番FDG1024NZ

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥2,748

販売価格(税別)

￥2,498

仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電シリーズPowerTrench ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)300360 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.2 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)259 最小ゲートしきい値電圧(V)0.4 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8 トランジスタ構成絶縁型