仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
長さ(mm)2.92
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)680
最大ドレイン-ソース間電圧(V)25
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450
最小ゲートしきい値電圧(V)0.65
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成シングル
